相关研究以ControllableHeterojunctionswithaSemicoherentPhase BoundaryBoostingthePotassiumStorageofCoSe2/FeSe2为题目，博海备跑发表在AM上。

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然而，家里机准非晶相变材料存在由自发结构弛豫引起的体系电阻持续增大现象，被称为电阻漂移。洗衣相关文献1.Y-DopedSb2Te3Phase-ChangeMaterials:TowardaUniversalMemory,BinLiu,WanliangLiu,ZhenLi,KaiqiLi,LiangcaiWu,JianZhou,ZhitangSong,andZhimeiSun*,ACSAppliedMaterialsInterfaces,2020,12,20672−DOI:10.1021/acsami.0c03027.2.Yttrium-DopedSb2Te3:APromisingMaterialforPhase-ChangeMemory,ZhenLi,ChenSi,JianZhou,HuibinXu,andZhimeiSun*,ACSAppliedMaterialsInterfaces,2016,8,26126−DOI:10.1021/acsami.6b08700.3.Vacancy-MediatedElectronicLocalizationandPhaseTransitioninCubicSb2Te3,Kaiqi Li,LiyuPeng,LinggangZhu,JianZhou,andZhimeiSun*,MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,2021,135,106052.DOI:1016/j.mssp.2021.106052.4.ALKEMIE:Anintelligentcomputationalplatformforacceleratingmaterialsdiscoveryanddesign,GuanjieWang,LiyuPeng,KaiqiLi,LinggangZhu,JianZhou,NaihuaMiao, andZhimeiSun*. ComputationalMaterialsScience,2021,186,110064-1100741. DOI:10.1016/j.commatsci.2020.110064.5.IdentifyingoptimaldopantsforSb2Te3phase-changematerialbyhighthroughputabinitiocalculationswithexperiments,ShuweiHu,BinLiu,ZhenLi,JianZhou,andZhimeiSun*.ComputationalMaterialsScience, 2019,165,51.DOI:10.1016/j.commatsci.2019.04.028.6.Synergyeffectofco-dopingScandYinSb2Te3forphase-changememory,ShuweiHu,JiankaiXiao,JianZhou,StephenR.ElliottabcandZhimeiSun*.JournalofMaterialsChemistryC,2020,8,6672.DOI:10.1039/d0tc01693d.更多内容可关注孙志梅团队网站：https://alkemine.cnhttps://alkemine.org本文由作者投稿。

除完全非晶和晶态外，博海备跑依靠迭代激励调控相变材料非晶和晶态占比，博海备跑可实现多个中间态，在开发高密度多级信息存储和神经形态计算中展现出巨大潜力。

拾贝（a）T型相变存储单元的结构示意图和（b）TEM形貌像。除此之外，家里机准对分步电沉积法构建的NaK@C电极进行了表征，并对其用于存储系统中的电化学性能进行了测试。

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